龍人抄板設(shè)計(jì)的少子壽命測(cè)試儀不僅適用于硅片少子壽命的測(cè)量，更適用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶等多種不規(guī)則形狀硅少子壽命的測(cè)量。少子測(cè)試量程從1μs到6000μs，硅料電阻率下限達(dá)0.1Ω.cm(可擴(kuò)展至0.01Ω.cm)。測(cè)試過程全程動(dòng)態(tài)曲線監(jiān)控，少子壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及陷阱效應(yīng)表面復(fù)合效應(yīng)等缺陷情況.

我們已通過反向工程掌握該產(chǎn)品的技術(shù)資料，并可提供該產(chǎn)品的的PCB設(shè)計(jì)、PCB抄板、芯片解密、樣機(jī)制作、樣機(jī)調(diào)試等方面的服務(wù)，滿足客戶的需求。同時(shí)，我們會(huì)根據(jù)市場(chǎng)需求的變化和產(chǎn)品的更新?lián)Q代，提升該產(chǎn)品的功能升級(jí)和擴(kuò)展，為廣大客戶提供定制化服務(wù)，我們期待與廣大客戶真誠(chéng)合作。

使用范圍

用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測(cè)量，除需要有一個(gè)測(cè)量平面外，對(duì)樣塊體形無嚴(yán)格要求，可測(cè)塊狀和片狀單晶壽命。壽命測(cè)量可靈敏地反映單晶體內(nèi)重金屬雜質(zhì)污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測(cè)項(xiàng)目。

產(chǎn)品特點(diǎn)
u        測(cè)試范圍廣：包括硅塊、硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅       片等的少子壽命及鍺單晶的少子壽命測(cè)量。
u        主要應(yīng)用于硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片的進(jìn)廠、出廠檢查，生產(chǎn)工藝過程中重金屬沾污和缺陷的監(jiān)控等。
u        適用于低阻硅料少子壽命的測(cè)量，電阻率測(cè)量范圍可達(dá)ρ＞0.1Ω?cm（可擴(kuò)展至0.01Ω?cm），完全解決了微波光電導(dǎo)無法檢測(cè)低阻單晶硅的問題。
u        全程監(jiān)控動(dòng)態(tài)測(cè)試過程，避免了微波光電導(dǎo)（u-PCD）無法觀測(cè)晶體硅陷阱效應(yīng)，表面復(fù)合效應(yīng)缺陷的問題。
u        貫穿深度大，達(dá)500微米，相比微波光電導(dǎo)的30微米的貫穿深度，真正體現(xiàn)了少子的體壽命的測(cè)量，避免了表面復(fù)合效應(yīng)的干擾。 
u        專業(yè)定制樣品架最大程度地滿足了原生多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)測(cè)試多種形狀的硅材料少子壽命的要求，包括硅芯、檢磷棒、檢硼棒等。
u        性價(jià)比高，價(jià)格遠(yuǎn)低于國(guó)外國(guó)外少子壽命測(cè)試儀產(chǎn)品，極大程度地降低了企業(yè)的測(cè)試成本。

技術(shù)參數(shù)
測(cè)量范圍       硅晶體電阻率：0.005-50000Ω•cm
鍺單晶：       0.1-100Ω•cm
可測(cè)材料       硅半導(dǎo)體材料 - 硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、籽晶、硅塊、硅片等，鍺半導(dǎo)體材料
少子壽命       1μs-6000μs
可測(cè)硅料電阻率   ≥0.1Ω.cm
激光波長(zhǎng)       1.07μm
貫穿深度       500μm
供電電源       ～220V 50Hz 功耗＜50W
推薦使用環(huán)境   溫度：23±2℃   相對(duì)溫度：≤65%