近日，“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”國家科技重大專項“極紫外光刻關鍵技術研究”項目順利通過驗收。評審專家組充分肯定了項目取得的一系列成果，一致同意項目通過驗收，認為該項目的順利實施將我國極紫外光刻技術研發(fā)向前推進了重要一步。
　  極紫外（Extreme Ultraviolet，EUV）光刻是一種采用波長13.5nm極紫外光為工作波長的投影光刻技術，是傳統(tǒng)光刻技術向更短波長的合理延伸。作為下一代光刻技術，被行業(yè)賦予拯救摩爾定律的使命。極紫外光刻光學技術代表了當前應用光學發(fā)展最高水平，作為前瞻性EUV光刻關鍵技術研究，國外同類技術封鎖嚴重，技術難度大、瓶頸多。
　  2008年 “極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝” 國家科技重大專項將EUV光刻技術列入“32-22nm裝備技術前瞻性研究”重要攻關任務�！皹O紫外光刻關鍵技術研究”項目承擔單位為中國科學院長春光學精密機械與物理研究所，參與單位包括中國科學院光電技術研究所、中國科學院上海光學精密機械研究所、中國科學院微電子研究所、北京理工大學、哈爾濱工業(yè)大學、華中科技大學。
　  項目研究團隊歷經(jīng)八年的艱苦奮戰(zhàn)，突破了制約我國極紫外光刻發(fā)展的超高精度非球面加工與檢測、極紫外多層膜、投影物鏡系統(tǒng)集成測試等核心單元技術，成功研制了波像差優(yōu)于0.75 nm RMS 的兩鏡EUV 光刻物鏡系統(tǒng)，構(gòu)建了EUV 光刻曝光裝置，國內(nèi)首次獲得EUV 投影光刻32 nm 線寬的光刻膠曝光圖形。建立了較為完善的曝光光學系統(tǒng)關鍵技術研發(fā)平臺，圓滿完成國家重大專項部署的研究內(nèi)容與任務目標，實現(xiàn)EUV 光學成像技術跨越，顯著提升了我國極紫外光刻核心光學技術水平。同時，項目的實施形成了一支穩(wěn)定的研究團隊，為我國能夠在下一代光刻技術領域?qū)崿F(xiàn)可持續(xù)發(fā)展奠定堅實的技術與人才基礎。